日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調節(jié)器等的逆變器、轉換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET"SCH2080KE"。此產品損耗低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。

　　本產品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時還可減少部件個數(shù)。

　　生產基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開始出售樣品，從7月份開始陸續(xù)量產。

　　※根據(jù)羅姆的調查（截至2012年6月14日）

　　現(xiàn)在，在1200V級別的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電導致的特性劣化（導通電阻和正向電壓的上升／耐性劣化）和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多，之前無法實現(xiàn)真正的全面導入。

　　此次，羅姆通過改善晶體缺陷相關工藝和元件構造，成功地攻克了包括體二極管在內的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。

　　另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體二極管長久以來的課題-降低正向電壓成為可能。

　　由此，與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比，工作時的損耗降低了70％以上，實現(xiàn)了更低損耗的同時，還實現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，而且有助于外圍部件的小型化。